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TSM60NC620CH-C5G

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TSM60NC620CH-C5G

Pour Référence Seulement

Référence TSM60NC620CH-C5G
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 45 000 piece(s)
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Spécifications TSM60NC620CH-C5G

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds501 pF @ 300 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)78W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs620mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-251 (IPAK)
Paquet / casTO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

TSM60NC620CH-C5G Packaging

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Sealing
Packing
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TSM60NC620CH-C5G FAQ

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